西數(shù)重推閃存版20TB硬盤(pán) 采用了獨(dú)家OptiNAND架構(gòu)技術(shù)

來(lái)源:快科技

西數(shù)日前宣布了業(yè)內(nèi)首款集成iNAND閃存芯片的20TB機(jī)械硬盤(pán)新品,采用了獨(dú)家的OptiNAND架構(gòu)技術(shù)。

在HDD硬盤(pán)上增加NAND閃存很容易讓人想起多年前西數(shù)/希捷推出的SSHD混合硬盤(pán),然而西數(shù)稱,OptiNAND并非混合架構(gòu)硬盤(pán),而是一種更創(chuàng)新的體系,此前的硬盤(pán)在緊急斷電時(shí)DRAM里的緩存數(shù)據(jù)無(wú)法保存或最多2MB,而OptiNAND則提高50倍到100MB。

OptiNAND硬盤(pán)現(xiàn)在的容量做到了20TB,西數(shù)表示5-10年內(nèi)會(huì)推出50TB容量的OptiNAND硬盤(pán)。

如何解讀這次的20TB OptiNAND硬盤(pán)?看起來(lái)是技術(shù)進(jìn)步了,但是背后可能是個(gè)壞消息——有專家表示這意味著西數(shù)之前寄予厚望的MAMR技術(shù)硬盤(pán)跳票了。

MAMR(微波輔助磁記錄技術(shù))是面向下一代HDD硬盤(pán)的磁存儲(chǔ)技術(shù),存儲(chǔ)密度是當(dāng)前HDD硬盤(pán)的5倍以上,可達(dá)10Tb每方英寸以上,未來(lái)可以做出100TB容量的硬盤(pán),這也是西數(shù)以及希捷早前宣傳的美好前景。

但是現(xiàn)在的情況來(lái)看,不論是西數(shù)的MAMR技術(shù)還是希捷力推的HAMR技術(shù),在量產(chǎn)上都有困難沒(méi)有解決,HDD硬盤(pán)的技術(shù)進(jìn)步?jīng)]有之前預(yù)期的那么樂(lè)觀,100TB硬盤(pán)還得等了。

標(biāo)簽: 機(jī)械硬盤(pán) 混合架構(gòu)硬盤(pán) 緩存數(shù)據(jù) OptiNAND硬盤(pán)

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